电子回旋共振 (ECR) 型离子束实现了对掩模损伤最小的蚀刻。 紧凑型也可用于薄膜沉积应用。
◇通过在真空中加速的离子束,可以进行高直线度的蚀刻加工。
◇ 也可使用O2、C3F8等活性气体,也可进行反应离子刻蚀。
◇基于PC操作,可轻松进行过程控制。
◇小型机备有多种选择,也可作为溅射成膜系统使用。
◇紧凑和高性能
使用 ECR 离子束可以进行纳米级蚀刻和沉积。制品特微
◇紧凑型高性能
凭借 1050 x 650 x 1260 mm 的紧凑尺寸,它可以安装在各种环境中。 通过使用在真空中加速的离子束,可以在亚微米区域进行具有较少底切和侧切的各向异性蚀刻。
◇可使用惰性气体和活性气体
除了Ar、Xe等惰性气体外,O2、C3F8等活性气体也可作为离子源,使反应刻蚀成为可能。
◇扩展性广
通过安装可选的沉积单元,它还可以用作溅射沉积系统。 它还兼容长抛溅射,可以沉积高直线度的材料。
离子枪 | ECR型离子枪 |
电离气体 | Ar、Xe等、惰性离子种类的气体 N2、O2、C3F8等、活性离子种类的气体 |
加速电压 | 100 ~ 3000 V 连续可变 |
离子流密度 | Ar: 1.5 mA/cm2 以上 (2kV加速时) O2: 2.0 mA/cm2 以上 (2kV加速时) |
离子束有效直径 | Φ 20 mm (FWHM 35 mm) |
离子流稳定性 | ±5 % / 2 H |
最大试样尺寸 | Φ 4英寸 |